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日本將在本土建立新一代半導體研發(fā)中心，與美國聯(lián)合開發(fā) 2nm 半導體芯片，并在 2025 年之前開始生產(chǎn)。
昨天，日本外相林芳正和經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)大臣萩生田光一在華盛頓會見美國國務卿布林肯和商務部長雷蒙多，舉行了外務經(jīng)濟部長級會談(又稱經(jīng)濟版 2+2)，會上討論了發(fā)展中國家基礎設施投資、供應鏈安全等相關議題。
萩生田光一表示，日本將迅速進行下一代的半導體研究，并將和美國建立一個新的研發(fā)基地以保證重要組件的來源足夠安全穩(wěn)定。他還稱這個研發(fā)中心將對其他志同道合的國家開放。
雖然在會議上兩國沒有公開該計劃的更多細節(jié)，但此前日本日經(jīng)新聞報道，這個半導體研發(fā)中心將在今年年底之前在日本成立，主要研究 2nm 半導體芯片，報道指出，該研發(fā)中心包括一條原型生產(chǎn)線，并在 2025 年之前開始生產(chǎn)。
美國和日本在半導體領域算是從競爭走向合作，雙方的摩擦從 1980 年代后半期開始，那時日本半導體制造企業(yè)席卷全球市場，擁有超過 50%的份額。隨后美國對日本半導體產(chǎn)業(yè)進行不斷打壓，日本半導體在全球市場的占有率降到 10%，1993 年，美國的半導體份額超過日本，并保持至今。在今年 5 月份，萩生田光一就曾向媒體表示：“關于和美國在半導體行業(yè)開展合作，我感受到了命運的奇異。”
（邯鄲小程序開發(fā)）
